具有三个分立的探测器,分别为用于350-1000nm的512的像元NMOS硅光电二极管阵列,以及两个用于1000-2500nm 单独热电制冷的铟-镓-砷光电探测器;采样间隔在350-1000nm范围内为1.4nm,在1000-2500nm范围内为2nm。
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