1) 正电子注入能量 0 keV~30 keV; 2) 直线束正电子束斑 ≤10 mm; 能量分散≤ 1 eV;束流~106e+/s; 3)捕获阱工作时,脉冲方式脉冲宽度可调20ns ~2ms; 储存时间18s; 正电子束斑 ≤ 1 mm; 能量分散≤几十meV; 单脉冲107e+/s; 4)可聚焦。
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无