二次电子像分辨率:2.5nm (30KV), 7nm (3KV); 放大倍数 :x5 to x300,000; 加速电压: 0.5KV to 30KV, 束流 :1pA to 1uA ; 全对中大样品台,样品的最大直径 150mm, 样品台的移动范围:X:80mm, Y:40mm, Z:5~48mm,T:-10°to +90°, R:360° 真空系统:10-5Pa数量级 最低的放大倍数可达 5 倍,可观测到 24mm 见方的样品。 高精度的可变焦聚光镜系统 (Precision Zoom Condenser lens)探测电流发生变化时,图像的聚焦状态可保持不变。 全对中的样品台 (Eucentric Stage) 可对直径为(150mm)的样品进行直接观察 。 安装 EBL 电子束刻蚀系统。
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进行晶体管线路刻蚀,制备集成电路
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