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主要规格及技术指标

?SEM技术指标–高稳定In-House Schottky 场发射电子枪（需24小时开机维护）–加速电压：200V~30kV–二次电子分辨率（SEI）： 1.5nm–背散射电子分辨率(BEI)： 6.0 nm；?X射线能谱仪(EDS)–元素分析范围：B5～U92–能量分辨率：优于132eV?电子背散射衍射分析(EBSD)–晶体取向分辨率 > 1°–分辨晶体尺寸 ≥ 0.5μm

主要附件及配置

无

主要功能及特色

对各种材料进行表面形态图像观察,微结构和微区成分分析,测定微小晶粒的晶体结构、晶体取向、相鉴定、微应变测量以及织构测量，给出极图与反极图并作出取向分布函数。对图象进行数字化采集、记录、处理与分析，广泛用于地质、冶金、化工、玻璃、陶瓷、金属、半导体、新型材料、生物、医疗、考古、珠宝、刑侦、国防及纳米材料领域