可蒸镀最大4inch的基片;基片可加热至500℃,也可水冷;控制电压4-10kV;电子束电流0-500mA。;最低真空度2X10-7 Torr;四个材料源
蒸镀靶材:Ag、Al、Cu、Ni、Ti、Ge等金属;Al2O3、 MgO、 TiO2 等金属氧化物;MgF2、 SiO、 CaF2、 ZnS、 Si3N4 、ITO 、SiO2等无机物
高熔点材料蒸镀