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原子层沉积设备
原子层沉积设备
仪器编号
17000364
规格
生产厂家
Picosun Qy
型号
R-200高级型
制造国家
芬兰
购置日期
2017-09-04
放置地点
物理学院D4095-401
出厂日期
2017-08-04
主要规格及技术指标
等离子体辅助生长薄膜样品，降低生长温度，可生长氧化物，氮化物薄膜。 生长温度：20-500 ℃。 等离子体功率：1500-3000W。
主要附件及配置
无
主要功能及特色
等离子体辅助原子层沉积设备，生长薄膜样品
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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暂无收费标准
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