1.五路工艺气体:O2、CF4、CHF3、SF6、Ar;一路吹扫气体:N2。 2.射频源功率:功率不小于1000W,频率13.56MHz,快速自动匹配,匹配时间小于5s,带有预置及存储功能。 3.刻蚀材料:硅、二氧化硅、氮化硅、石英等材料。 4.蚀刻均匀性:对4英寸直径硅片,间距不小于30毫米的五点法测量刻蚀深度相差不超过±5%。 5.最小刻蚀线条≤1微米图形。
工艺气体:SF6, CH4, CHF3, O2, Ar
硅和其他硅基材料刻蚀