二次电子分辨率:<0.7nm@15kV(In-Beam SE), <1.0nm@1kV (减速模式) ;背散射电子分辨率:<2.0nm@30kV (In-Chamber BSE), <1.6nm@15kV (In-Beam LE-BSE);FIB分辨率:<2.5nm@30kV
无
TEM样品制备