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主要规格及技术指标

1. 4英寸硅片深槽刻蚀，刻蚀速率速率：>1 微米/分钟，刻蚀均匀性好于±5%，侧壁陡直度好于：90deg±1deg;氧化硅掩膜的刻蚀选择比好于50，光刻胶掩膜的刻蚀选择比好于20，侧壁粗糙度小于100 纳米；
2.4英寸硅片高速刻蚀，刻蚀速率速率：>10 微米/分钟，刻蚀均匀性好于±5%，侧壁陡直度好于：90deg±1deg;氧化硅掩膜的刻蚀选择比好于250，光刻胶掩膜的刻蚀选择比好于125，侧壁粗糙度小于350 纳米，刻蚀深度重复性：±3%；
3.低温工艺硅刻蚀。刻蚀速率速率：>2 微米/分钟，刻蚀均匀性好于±5%，侧壁陡直度好于：90±1deg;，氧化硅掩膜的刻蚀选择比好于100，光刻胶掩膜的刻蚀选择比好于40，侧壁粗糙度小于5纳米，刻蚀深度重复性：±3%。

主要附件及配置

HORIBA 670 nm激光终点检测系统， 用于透明薄膜刻蚀深度探测

主要功能及特色

深硅刻蚀