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主要规格及技术指标

1)基板加熱性能机构最高设定温度: 350°C 加热测试温度: 100°C+5°C,取内中外3个点. (内中外三圈) 2) 基板加熱机构构成:铠 装加热丝(12kW) 1 控制: K型热电偶PID 控制1位置:真空室上部3)等离子源a)型号: RPD-PGU-OR (反应性等离子源) 1 b)主要性能:通过等离子使材料蒸发。c) 工作|用气体(等离子源用) : Ar:纯度99.995%|d)冷却水:水温最高为25°C,请使用过滤到|50μ以下的水。G1电极: 8l/min G2电极:|8/min Steering线圈: 1 .2/min 4)材料供给部分1 a)型号: φ20mm锭材供给机构b)性能:成膜运转时，由等离子电源控制下，提供蒸发材料。c)上顶马达: 步进马达(单相，AC200V) 1 d)位置探头:光电传感器|5) 成膜参数面电阻(伞架_上从里到外一-列基板) : 40nm厚度ITO薄膜方块电阻<60Q/ .p透过率(伞架上从里到外一列基板) :40nm厚度ITO薄膜透过率> 90% (以基板作为基线)

主要附件及配置

无

主要功能及特色

高质量ITO薄膜沉积