1) 扫描隧道显微镜的最低稳定操作温度≤0.4K以下;样品区域磁场强度达到9-15T(垂直样品表面);在最低温度和最高磁场强度下可连续保持超过12小时。
2) 除最低温度外,系统应可以工作在一般液氦(<4.5K)和液氮(77K)温度,温度控制准确度<±0.5 K;
3) 完整的环境振动隔绝平台及安装方案。保证系统Z方向噪音<1pm/√Hz; 最小可工作隧穿电流:保证<2pA;
4) 实空间分辨率,在平面内<0.1nm, Z方向<0.01nm。最大扫描范围在最低温度下>0.5微米
5) 面内热漂移在最低可操作温度下<0.1nm/小时,在液氮77K温度下<0.5nm/小时
6) 扫描隧道谱的能量分辨率达到或好于0.3meV
7) 具备功能独立的分子束外延制备腔,可以兼容各种主流蒸发源,实现包含半导体、金属和有机分子等各种薄膜表面结构的制备。基底生长温度可控区间:40K-1500K;可扩展各种电子衍射表面表征手段。
8) 完整的超高真空原位传样系统,整个体系中各部分真空度均<2 x 10-10 mbar;
无
测量测量表面微观结构
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