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主要规格及技术指标

刻蚀样片大小：四英寸片，兼容两英寸片以及碎片
工艺腔：铝材一体成型，内圆外圆，腔室内径不大于300mm，高度不大于160mm；样片工艺距离不小于90mm
工艺进气方式：工艺腔顶部四周进气
工艺射频电源： 13.56MHZ，自动匹配，最小稳定工艺启辉射频功率4W
真空系统：采用分子泵组，工艺压力范围：0~1Torr，精度<0.2% of Read Value
气路系统：配置3路工艺气体、一路N2吹扫气体，一路CDA
工艺气体：流量范围0~300scmm，流量控制精度±0.3% 满量程
控制系统：基于C语言，自主研发，全自动控制流程，带有recipe菜单，日志与数据记录，异常报警与处理，登录权限管理
人机交互界面：15英寸触摸屏，位于机台操作面正上方，水平放置
刻蚀材料：二维电子薄膜材料（MoS2）、四族材料（Si、SiO2、石英、SiNx、SiC）以及有机材料（PR、PMMA、PDMS）
刻蚀速率：MoS2：>100nm/min; SiO2/SiNx:>150nm/min; PR:>500nm/min

主要附件及配置

无

主要功能及特色

用于微电子线路刻蚀，微电子器件制备。