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主要规格及技术指标

1.1 有12热阻蒸发源，用于材料蒸发。有机、金属通用，距基片大约35cm。12个蒸发源的位置按照R-D-matin-ME系列舟蒸发源设计。
1.2 源与源之间配备隔板，可有效隔绝一定的温度，并避免源与源之间相互污染。
1.3 3台低电压大电流的TDK-lambda电源(2台1.4kW GEN8-180，1台0.6kW GEN6-100 )通过切换12组蒸发源，蒸发不同材料。
1.4 TDK电源，最高升温温度可达1500℃，电流驱动加热形式，可精确到0.1A，实现蒸镀速率0.01 A/S的精度显示。
1.5 带有4个晶振探头，其中1个位于基片盘下方为主探头。另外3个位于蒸发源附件,作为副探头，位置可调整。
1.6 采用inficon SQC-310C 膜厚仪，膜厚精度误差在正负0.01A/S，显示精度0.01A，可显示4个膜厚探头的读数。
1.7 可蒸金属：以铝为标准。蒸镀速率：以铝为标准：0.5-10A/s稳定可控，蒸镀速率波动≤±0.1A/S。
1.8 基片厚度均匀性：±5%,测试方法：多点测量：（最大值-最小值）/（最大值+最小值）。
1.9 有机物：以NPB或Alq3为标准： 蒸镀速率0.5-10A/s稳定可控，蒸镀速率波动≤±0.1A/S。
1.10 基片厚度均匀性：±5%,测试方法：多点测量：（最大值-最小值）/（最大值+最小值）。
1.11 掩膜版系统：蒸镀图案边缘宽度：掩模板图案尺寸±0.1mm。
1.12 真空室由SUS304不锈钢制成，内部尺寸大致为380mm*380mm*530mm，装有基础结构和挡板的固定装置，以及电极、真空泵、样品盘离合等装置。
1.13 真空室内部电解抛光处理，减少表面放气。
1.14 真空室有两个可以完全打开的门，前面的是推拉门，配备1个观察窗，可以接附加的手套箱。后门是旋转门，打开后门可以对腔体内部进行维护，也可以展开让腔体内部接触大气，配置2个观察窗。
1.15 极限真空度：系统洁净、空置时低于3.5×10-5 Pa；从常压到5*10-4pa不超过15min（充氮气保护，从手套箱内操作）。
1.16 带有旁抽系统，可以在不关闭分子泵的条件下，进行样品及材料的更换。
1.17 观察窗上配有可金属挡板,可从腔体外面打开或关闭。
1.18 腔体外装有一盏LED灯，方便观察内部状况。
1.19 腔体内表面预留安装金属防污挡板接口,后期可安装金属防污挡板或是贴铝泊来防污染。
1.20 真空系统具有电脑控制闭合环路反馈装置，并包括如下构件：
@德国普发 Hipace700 分子泵，风冷式分子泵。抽速：N2：700 l/s，转速：49,200 rpm,极限真空：5×10-10mbar，启动时间：2分钟
@全量程真空计，测量范围大气----1.0*10-6Pa。
@机械真空泵为安捷伦IDP15 抽速约为：15 m3/h.
@插板阀及角阀：可使用不少于100,00次，气动。
1.21 登陆软件需要用户名和密码，不同的用户名对应不同的操作权限，确保操作人员不会误操作到设备的参数设置。
1.22 速率控制模式可以通过膜厚仪设定蒸发材料的速率值，与膜厚仪中探头检测的实际值比较，通过速率控制PID模块调节加热电源的输出。
1.23 腔体的真空系统可以单独操作，也具有两种模式可以切换：手动模式和半自动模式。在手动模式下，可以手动控制机械泵、气动阀、闸板阀、分子泵的启动和停止，软件中含有各个电气设备的软件互锁和状态反馈，确保设备的安全。在半自动模式下，可以从当前状态自动抽取运行，达到实验要求的真空环境，各个状态会在软件中显示。
1.24 通过膜厚仪与工控机串口通讯，将蒸发速率、蒸镀膜厚和输出功率一同在软件中实时显示，方便操作人员监测实验过程。
1.25 该系统建立在铝合金型材框架上，框架上装有真空室，真空构件，电控，电脑界面。框架和盖板的饰面为铝阳极氧化，非无尘室同样适用。框架配有水准调节脚。
1.26 可安装4个尺寸32mm*32mm的基片托盘，可真空状态下更换掩膜板，具体12面掩膜图案结构，图案可更改。
1.27 兼容钙钛矿电池器件掩膜板和基片架，能一次镀20片15mm*15mm的基片。
1.28基片托通过伺服电机以标称30转数／分的转速旋转时发生沉淀（0~30转/分可调），这样可以使基础结构的一致性达到最大。
1.29 磁流体密封，实现外部与内部的机械传动连接。
1.30 日本进口气缸驱动，保证行程的精准和可控，带有行程定位传感器。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

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