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主要规格及技术指标

SEM 二次电子分辨率不低于0.9nm@15KV ； 1.5nm@1KV
SEM电子枪最大束流＞400nA；
视野范围:7mm@WD=6mm;50mm@WD=最大时，不允许图像拼接;
放大倍数:2~2000000倍;
FIB离子束分辨率≤2.5nm@30KV;
离子枪束流1pA~100nA;
样品台行程X&Y轴不小于130mm;Z轴不小于90mm；倾斜:-60°~ +90°;旋转:360°连续;
样品室真空≤9*10-3Pa;
原位力学模块最大纵向载荷≥10mN/500mN
原位力学模块纵向载荷分辨率＜0.4 μN/5μN
原位力学模块最大压痕深度≥5μm/150μm
原位力学模块位移分辨率≤0.1nm
原位力学模块低载传感器位移噪音≤1nm，载荷噪音≤400nN
原位力学模块高载传感器位移噪音≤1nm，载荷噪音≤5 μN

主要附件及配置

无

主要功能及特色

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