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主要规格及技术指标

A、配备有微波源及微波传输系统、微波等离子体反应腔、水冷系统反应室、气体输运系统、真空系统、计算机控制系统、水冷系统、测温系统及报警系统；
B、气体输运系统中，气源至少需包含H2、CH4、B2H6及N2，另外可增加两路备用气源；
C、在沉积薄膜时可监测样品基片温度；
D、易损部件需要配备一套以上的备件；
微波源工作频率：2.45±0.05GHz；
微波输出功率：不小于8kW且连续可调；
微波功率稳定度：优于正负1%（满功率时）；
成膜直径：不小于100mm；
成膜均匀性：优于±5%；
沉积速率：不低于3m/h；
本底极限真空度：优于10-5Pa；
腔体压力连续可调；
测温系统可测温范围：500~1300℃；
微波泄漏：符合国家标准；
控制系统：采用PLC控制系统，可编写程序实现整个工艺过程的自动化，控制系统可进行手动和自动成膜两种控制，可对工艺工程中各参数进行记录和保存。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

用于材料、半导体薄膜等学科领域，是工业科学研究院在建国家重大科研仪器研制项目所急需的设备，对于项目半导体薄膜的制备及其科研应用具有重要意义。