紫外光刻机:
1 350W 近紫外汞灯光源, 可实现350W+/-10%的调节
2 不小于6英寸方形曝光区域,可实现恒光强和恒功率曝光模式
3 光强均匀性: <±1% 直径 2” 区域
<±2% 直径 4” 区域
<±3% 直径 6” 区域
4 光源输出强度: 365 nm光强输出强度≥18mW/ cm2;
405 nm光强输出强度≥35mW/ cm2
5 光学系统具抗反射涂层以及消除衍射效应的功能。
6 设备本身具有365nm线与405nm线光强探测功能以及反馈调节功能。
7 光束发散半角不大于1.84°
8 具有安全报警和自我保护功能。
9 具有三种曝光模式:硬接触,软接触,间隙式。
10 支持正胶,负胶等主流光刻胶的光刻工艺
11 在1微米厚度等间距的条件下线宽制备能力:
优于或等于0.8μm ——使用真空硬接触模式
优于或等于3μm——使用分离式曝光模式,且间隙设定为20微米
12 正面对准精度优于±1.0μm
13 采用双CCD对位系统,图像放大倍率在100倍-800倍或更大范围内连续可调。
14 正面对准时能完成最小到35mm晶圆双目双视场的同时对准
15 通过更换夹具能完成10mm*10mm,2/4/6英寸晶圆的光刻
无
2
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
|---|