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主要规格及技术指标

加速电压：20 kV – 200 kV
HRTEM 分辨率≤0.10 nm
STEM 分辨率 ≤0.16 nm
放大倍数：LM模式25x-2300x
M模式2300x-3300x
SA模式3300-630Kx
Mh模式630Kx-1.05Mx
STEM模式5000x-330Mx

主要附件及配置

无

主要功能及特色

本仪器配备三个STEM探头，包括高角环形暗场探测器（HAADF）和同轴明场/暗场探测器。同时配备实时的积分相位衬度像(iDPC)成像功能，可在同一幅STEM图像中同时获取轻重元素的清晰衬度，同时支持在极低束流下对MOF等电束敏感材料进行低损伤高衬度成像。采用四个对称式能谱探头, 四个无窗设计SDD硅漂移探测器构成完全旋转对称分布设计的多探头系统。可实现对样品极快速精准的 EDS的点、 线、面 、分析。