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主要规格及技术指标

曝光类型：双面对准单面曝光；曝光面积：≥110×110 mm；曝光强度：0～40 mw/cm2可调；曝光强度均匀性：≥97%；紫外光束角：≤3°；紫外光源：LED，紫外光中心波长：365 nm-460 nm；曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微分离曝光；底吹曝光；曝光分辨率：≤1 um；显微系统：正面对准采用双视场CCD立式显微镜，反面对准使用双视场CCD卧式显微镜，正分面CCD像素为200万倍。

主要附件及配置

LED紫外曝光头、无油真空泵、掩膜版、电气控制系统、真空系统、高分辨率显微镜等

主要功能及特色

本设备主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，本机找平结构先进，找平力小、使本机不仅适合各型基片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。