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主要规格及技术指标

1.1 ▲腔体：采用双层腔体结构，反应腔安装在真空腔体内，并各自配备密封盖。
1.1.1真空腔体：
（1）内置加热器一套，配备相应的隔热板，加热器最高加热温度≥650℃，控制精度±1℃；
（2）▲真空腔体不得采用水冷系统且外温低于60℃，并配备腔体过热保护装置；
（3）真空腔体所有接口采用KF法兰和Viton密封圈密封，腔体漏率低于2x10-8mbar*l/s。
1.1.2反应腔：
（1）反应腔最大可沉积200 mm基片1个, 兼容小基片；
（2）▲反应腔上配备6个独立的前躯体源管路接口，与前躯体源管路连接，前驱体蒸汽相对衬底流动模式为喷洒淋浴模式；
（3）反应腔最高沉积温度≥500℃，控制精度±1℃；
（5）▲基片加载采用气动基片加载/卸载系统，由电脑自动控制；
1.1.3前躯体输运系统：
（1）▲配备6路独立的前躯体源管路，分别连接到反应腔的6个独立入口上。
（2）▲每条管路单独配置的质量流量、压力传感器、脉冲阀，所有连接管路为316L不锈钢制成，所有管路接头采用VCR金属密封方式密封。
1.2 前躯体源数量：配备6个前躯体源，分别为：4个常温液态源、2个加热源、1个气态源和1个臭氧源。
1.2.1常温液态源：
（1）包括液态源瓶、管道与脉冲阀门；
（2）▲源瓶为AISI 316不锈钢材质，容积不小于150 cm3，配置手动隔离阀；
（3）▲每个液态源单独配备温度控制器1套。
1.2.2加热源：
（1）配备温控管路、高温脉冲阀门与热绝缘器；
（2）▲源瓶为AISI 316不锈钢材质，容积不小于400cm3；
（3）▲最高加热温度300℃，控制精度±1℃。
1.2.3气态源：
（1）配备独立的质量流量计、压强传感器、脉冲阀；
1.2.4 臭氧气态源：
（1）包括臭氧发生器1台，最高臭氧浓度10%；
（2）配备独立的质量流量计、压强传感器、脉冲阀；
（3）配备臭氧分解器。
1.3预真空系统：
1.3.1 ▲具备取传片功能，配置观察视窗、样品位置传感器、N2放气管路、二级隔离阀和过压保护阀等；
1.3.2 并配备单独的干泵。
1.4 真空系统：
1.4.1 ▲配备耐腐蚀真空干泵；真空泵抽速：420m3/h，配备颗粒捕捉器及反应残余物燃烧器。
1.5 控制系统：
1.5.1 触摸屏PC用于ALD反应器的操作，先进的控制软件和电子电路；人性化的HMI界面，系统可用于处方recipe 模式或手动模式；
1.5.2 操作界面友好，具备程序储存、读取功能，能够输出实验数据，显示24个小时内设备系统各部分参数的时间趋势图，包括各部分质量流量、温度、压强的时间趋势图，用于监测设备稳定性；
1.5.3 沉积过程中监测显示每个源管路的脉冲压强，显示脉冲压强与时间关系图，用于监测脉冲稳定性；
1.5.4 配备紧急制动开关。

2、工艺验收指标
2.1 ▲Al2O3：
厚度均匀性：热法<1% (500循环, 8” Si 片）, Stdev/Average x 100%，49 点测量，排除边沿10 mm)；
2.2 ▲免费提供其它沉积氧化物、硫化物和金属的沉积工艺。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

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