大型仪器设备开放共享网络平台

主要规格及技术指标

*1.1.1 同时兼容GaN和Ga2O3工艺，具备氮化物及氧化物薄膜的生长及掺杂功能；
*1.1.2近耦合喷淋结构腔体，进气采用喷淋头模式，需保障工艺气源分布均匀性；
#1.1.3尾气口设置在腔体轴心处，腔体内部气流均匀对称；
*1.1.4 石墨盘表面最高温度≥1200℃；
#1.1.5 石墨盘表面温度均匀性偏差≤±2℃；
*1.1. 6喷淋距离石墨盘的距离9-12mm可调。
*1.1. 7 喷淋头单独将2路反应源注入到石墨盘上方，喷淋头有水冷结构；
#1.1.8 单炉产能：具备3片2英寸衬底生长能力，通过更换衬底托，可进行单片4英寸衬底生长；
*1.1.9衬底基座采用石墨材质，表面镀SiC涂层；
#1.1.10加热器采用双螺旋钨丝结构；同时加热器能够与工艺气体隔离，防止被氧化；
1.1.11 托盘能旋转，转速范围0~200rpm；
#1.1.12 托盘水平度≤0. 1mm，同心度≤0.3mm；
1.1.13 腔体中部和腔体上部的密封采用双O圈；
1.1.14 配置干泵；
1.1.15 配置蝶阀及薄膜规，闭环控制腔体压力；
1.1.16 尾气管路配置颗粒过滤器；
1.1.17 尾气管路配有过压保护；
1.2气体输送系统
*1.2.1 气体输运系统中，有机金属源气路至少包含：TEGa源、TMGa源、Cp2Mg源、TMAl源、TMIn源、DEZn源，其中TMIn源为2路；
*1.2.2 气体源气路3路，包含：NH3、SiH4、N2O/O2；
#1.2.3 载气2路，为H2/Ar、N2；
#1.2.4 MO瓶放置在循环水浴控温，精度不低于0.15℃，温度范围：-10℃到+50℃；
#1.2.5 Run管路有加热功能，温度50℃以上，精度±1℃；
*1.2.6 配有一套run/vent管路，切换有机源；配有make-up管路，确保切换过程run管路压力稳定；
#1.2.7 管路系统配有检漏接口，管路系统漏率优于1E-9mbar·L/s；
#1.2.8 气源箱面板留有额外的空余位置，有机源可进行扩充（不少于2路）；
1.3手套箱系统
*1.3.1 单面操作，集成有单柱净化单元、PLC控制、真空泵。带有可拆卸的安全玻璃前窗。在标准状况下，即20℃恒温，一个标准大气压，99.999%的惰性气源，水氧指标小于5ppm；
#1.3.2 密闭循环，手套箱内的惰性气体经循环风机和净化器密闭循环，不断地除水除氧；
1.3.3 自动控制再生，除水除氧材料可以再生，再生过程由程序控制；
1.3.4 箱体压力控制，手套箱内压力通过PLC自动控制，可以自由设定，超出±3mbar系统自动保护；
1.3.5 真空泵自动控制，真空泵要求在系统需要时自动开启。
1.4 冷却系统：
*1.4.1 配置有热交换机，热交换为喷淋提供冷却水，温度范围：20-80℃；
*1.4.2 配置有冷却水循环机，各水冷部件均由冷却水循环机提供冷却水；
1.4.3 每路冷却水配置浮子流量计对流量进行测量。
1.5 控制系统：
#1.5.1 配置有上位机电脑，进行工艺配方操作及历史记录查询；上位机电脑CPU不低于酷睿i7，内存≥32G，硬盘≥4TB，独立显卡显存≥4GB，配备24倍可刻录DVD光驱以及27英寸2K分辨率液晶显示器，键盘，鼠标，网卡；
1.5.2 配置有PLC控制系统，控制整个设备；
1.5.3 PLC系统自带安全自检及互锁系统；
1.5.4 上位机电脑具有多层级权限设置。
1.6 工艺验收：
#1.6.1 GaN工艺：进行本征层、Mg掺杂层、Si掺杂层工艺验收，具体指标参考验收文件；
#1.6.2 Ga2O3工艺：进行本征层验收。
1.7 设备兼容：
*1.7.1 设备可以通过手套箱与指定的大型真空互联系统进行对接；
*1.7.2 手套箱壳体预留集成接口，可安装与真空互联系统对接管道；
*1.7.3 手套箱内部配置有线性机械手，实现衬底在MOCVD手套箱和真空系统的进样室之间的转移。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

2