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主要规格及技术指标

二次电子分辨率：1.0nm(30kV)；2.0nm(1kV) ；
背散射电子分辨率：2.0nm(30kV)
加速电压：50V ~ 30kV，10V连续可调
电子束流最大可达到200nA
放大倍数：×2 ~ ×1,000,000

主要附件及配置

材料微纳区域的形貌观察（SEM）、能谱分析（EDS）及晶粒检测（EBSD）

主要功能及特色

材料微纳区域的形貌观察（SEM）、能谱分析（EDS）及晶粒检测（EBSD）
eds和ebsd的联用分析高级功能，在纳米尺度高精度分析测试方面提升效果明显。