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主要规格及技术指标

分辨率：高真空成像：1.0nm@30KV(SE), 2.5nm@30KV(BSE)；低真空成像：1.3nm@30KV(SE), 2.5nm@30KV(BSE)；
环境真空成像：1.3nm@30KV(SE)
放大倍数：6x-2500000x
电子束流：1pA-200nA
样品台：五轴电动优中心测角台，X=110mm，Y=110mm,Z=65mm，T= -15°~90°，R=360°连续旋转。
冷台：Peltier冷载物台，温度范围-20℃~+55℃

主要附件及配置

斜插式能谱仪：硅漂移（SDD）电制冷探测器。元素分析范围: Be 4～Cf 98

主要功能及特色

1. 场发射电子枪（FEG）实现纳米级分辨率；
2. 集成高真空、低真空及环境真空等工作模式，适配导电/非导电、含水或热敏样品，无需复杂预处理即可观察自然状态样品；
3. 搭载Peltier冷台（-20℃至55℃），可实现低温成像，减少热损伤，特别适用于生物组织、聚合物等活性样本的动态表征；
4. 环境真空 + 冷台，通过调节气压、温度进行原位试验观察；
5. 系统配备斜插式能谱仪（EDS），可实现快速元素分析，低真空模式下突破非导电样品限制。
该仪器广泛应用于材料科学、生命科学、地质矿物及工业检测等领域，满足从纳米级形貌观测到成分分析的科研需求，为复杂样品研究提供精准解决方案。