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主要规格及技术指标

技术参数：
1、衬底尺寸：4、6、8英寸圆片(可根据客户要求评估其他尺寸)
2、衬底厚度：0.5mm~3mm
3、硅、玻璃、SiC等
4、温度范围：室温~500°C(其他温度区间可选配)
5、温度均匀性：≤+1%
6、最大升温速率：15°C/min
7、温度控制偏差：升温速度15°C/min 时，温度控制偏差≤5%
8、最大降温速率：10°C/min
9、最大压力：100kN
10、压力均匀性：≤±5%
11、压力控制精度：+0.5% F.S.
12、极限真空：1x103Pa
13、腔体漏率：s5x10-10Pa.m2/s

主要附件及配置

4.1 基本配置
TWB-100A晶圆片键合机适用于4英寸晶圆片的键合工艺，基本配置部件如下：
1，加热系统；
2，真空系统；
3，反应腔室；
4，电气控制；
5，高压电场；
4.2 加热系统
加热系统主要由加热器、热电偶以及固态继电器构成，通过PID闭环控制达到精确控温的效果。TWB-100A键合机可将晶圆加温至450℃，键合工艺结束后自然冷却。
注：TWB-100A键合机设计温度为450℃，如使用温度高于450℃有可能导致设备损坏。
4.3 真空系统
真空系统主要由真空腔体、真空泵、真空阀门、真空计以及真空管路构成。
TWB-100A键合机设计极限真空度为5×10-3Pa，设备配有分子泵以及涡旋干泵，真空泵需要定期维护，详细情况请咨询本公司设备工程师。
4.4 反应腔室
反应腔室包含：腔体、上法兰、下法兰、冲压波纹管以及观察窗。
腔室内部的清洁程度直接决定了设备工艺的质量及泵体的寿命。如内壁附着油脂，粉尘会影响泵体抽速及工艺合格率。所以必要的清洁是设备维持良好运转的先决条件。在清洁维护等过程中，需要戴洁净室专用手套，防止人体油脂及皮肤汗渍沾染到设备上。
4.5 电气控制
电气系统位于单独的控制柜内，包含工控机、显示器、电路安装板以及气路安装板。
4.6 高压电场
为阳极键合（硅-玻璃键合）工艺提供高压电场，设备上压头接负高压，下压头接地。做阳极键合时需按玻璃片在上硅片在下的顺序将衬底放置在夹具上，否则将导致键合失败。

主要功能及特色

键合机是指利用阳极键合工艺将两片衬底进行键合的机器。阳极键合工艺原理是利用热量和静电场的结合将两个表面(硅、部分金属、含碱玻璃等)紧密结合在一起。它类似于直接键合，通常不需要中间层。但不同之处在于，阳极键合依赖于高温和高电压作用下离子运动时在表面间产生的静电吸引，从而使晶圆表面发生微观的弹性形变，实现紧密接触。同时，非桥氧离子和Si发生阳极氧化反应，形成Si-O-Si键。该设备可配置高精度晶圆对准系统、先进的压力与温度控制系统以及真空或气氛环境腔室，确保键合界面无空隙、低应力、高强度和优异的电学/热学性能，是实现异构集成和超越摩尔定律的关键技术。