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主要规格及技术指标

1.极限真空：MBE腔体极限真空＜9×10⁻¹¹ Torr； 2.工作极限真空：＜3×10⁻¹⁰ Torr； 3.基片加热温度：500-1200℃； 4.源炉数目：4个； 5.激光功率：50W； 6.超快连续/突发成像视场>100×100μm2； 7.成像帧数：50帧。

主要附件及配置

微波等离子体化学气相沉积系统： 1.配备有微波源及微波传输系统、微波等离子体反应腔、水冷系统反应室、气体输运系统、真空系统、计算机控制系统、水冷系统、测温系统及报警系统； 2.气体输运系统中，气源包含H2、CH4、B2H6及N2； 3.在沉积薄膜时可监测样品基片温度； 4.微波源工作频率：2.45±0.05GHz； 5.微波输出功率：≥8kW且连续可调； 6.成膜直径：不小于80mm； 7.成膜均匀性：优于±5%； 8.沉积速率：不低于3μm/h； 9.本底极限真空度：优于10-5Pa； 10.腔体压力连续可调； 11.测温系统可测温范围：500~1300℃；

主要功能及特色

1. 多功能集成 系统以分子束外延（MBE）为核心，集成MPCVD、高温工作腔室、AFM/STM工作腔室、进样室、预处理室、机械手传送仓等多个功能腔室，实现从样品进样、预处理、薄膜生长到原位表征的全流程一体化。 2. 原位/实时监测能力 系统预留了多种先进在线测试与调控仪器的接口，包括超快RHEED、飞秒激光辅助外延生长与调控实验装置、超快连续/突发逐层成像装置等，便于实现薄膜生长过程中的原位/实时监测。 3. 多腔室真空互联 通过机械手传送仓实现各腔室之间的超高真空样品传递，确保样品在不同工艺环节间不暴露大气，保持表面清洁与界面质量。